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      產(chǎn)品分類(lèi)
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      單晶少子壽命測(cè)試儀。

      更新時(shí)間:2024-05-10

      產(chǎn)品型號(hào):GZ-LT-2 帶示波器

      廠(chǎng)家性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家

      訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):702

      簡(jiǎn)要描述:

      GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

      單晶少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):GZ-LT-2


      GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

         本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。
      技 術(shù) 指 標(biāo) :

       測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
       可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS
       配備光源類(lèi)型 波長(zhǎng):1.09μm;余輝<1 μS;
       閃光頻率為:20~30次/秒;
       閃光頻率為:20~30次/秒;
       高頻振蕩源 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
       前置放大器 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz
       儀器測(cè)量重復(fù)誤差 <±20%
       測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式
       儀器消耗功率 <25W
       儀器工作條件 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz
       可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè):φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
       縱向臥測(cè):φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
       配用示波器 頻寬0—20MHz;
       電壓靈敏:10mV/cm;


       


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