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      產(chǎn)品分類
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      四探針測(cè)試儀(便攜式)

      更新時(shí)間:2024-05-10

      產(chǎn)品型號(hào):GSZ-RTS-2

      廠家性質(zhì):生產(chǎn)廠家

      訪問次數(shù):504

      簡(jiǎn)要描述:

      GSZ-RTS-2測(cè)量范圍
      電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;
      方塊電阻:0.1~19999Ω/□;
      GSZ-RTS-2A測(cè)量范圍
      電阻率:0.001~199.99Ω.cm;
      方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□;

      四探針測(cè)試儀(便攜式)/四探針電阻率測(cè)試儀/四探針測(cè)定儀

      型號(hào):GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A

      GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,專用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
          儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
          本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。




      帶把手四探針探頭
      技 術(shù) 指 標(biāo) :
      便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型,區(qū)別:測(cè)量范圍不一樣。

       GSZ-RTS-2測(cè)量范圍
       電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;  
       方塊電阻:0.1~19999Ω/□;
       GSZ-RTS-2A測(cè)量范圍
       電阻率:0.001~199.99Ω.cm;  
       方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□;
      GSZ-RTS-2恒流源
       電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
      GSZ-RTS-2A恒流源
       電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
      數(shù)字電壓表
       量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
       分辨力:10μV;
       輸入阻抗:>1000MΩ;
       精度:±0.1% ;
       顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
      四探針探頭基本指標(biāo)
       間距:1±0.01mm;
       針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
       機(jī)械游移率:≤0.3%;
       探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
       探針壓力:5~16 牛頓(總力);
      四探針探頭應(yīng)用參數(shù)
       (見探頭附帶的合格證)
      模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
      ( 按JJG508-87進(jìn)行)
       1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
      整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差
      (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
      整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度
       ≤5%
      外型尺寸
       125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)
      標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境
       溫度:23±2℃;
       相對(duì)濕度:≤65%;
       無(wú)高頻干擾;
       無(wú)強(qiáng)光直射;


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